هاتف: +86- 18025912990 | البريد الإلكتروني: wst01@winsharethermal.com
بيت

بيت | مدونة | دراسة الحالة | نصائح التصميم

لوحات التبريد للإلكترونيات
مدونة
شارك تألق Winshare Thermal معك لشاهدتك المشتركة

تبريد MOSFET وIGBT

ترتبط هذه بأخبار تبريد MOSFET وIGBT ، والتي يمكنك من خلالها التعرف على المعلومات المحدثة في تبريد MOSFET وIGBT ، لمساعدتك على فهم تبريد MOSFET وIGBT وتوسيع نطاقه بشكل أفضل. سوق لأن سوق تبريد MOSFET و IGBT يتطور ويتغير، لذلك ننصحك بجمع موقعنا الإلكتروني، وسنعرض لك آخر الأخبار بشكل منتظم.
  • تحسين تصميم المشتت الحراري للحمل القسري

    تحسين تصميم المشتت الحراري للحمل القسري

    2024-08-09

    يعد التصميم الأمثل للمشتتات الحرارية، خاصة للأجهزة ذات الأحمال الحرارية العالية مثل MOSFETs وIGBTs، أمرًا بالغ الأهمية للتشغيل الفعال لهذه الأجهزة ولتجنب فشل المكونات المبكر. يتطلب ذلك مجموعة من المراوح والمشتتات الحرارية لتوفير التبريد المناسب للأجهزة عالية الطاقة اقرأ المزيد
ترك رسالة
أرسل رسالة
حدد الملف
قوانغدونغ Winshare التكنولوجيا الحرارية المحدودة تأسست في عام 2009 وركزت على حلول التبريد عالية الطاقة للتطوير والإنتاج والخدمات الفنية، وهي ملتزمة بأن تصبح رائدة جديدة في الإدارة الحرارية لمجال الطاقة لهذه المهمة.

أطباق باردة سائلة

تقليل الحرارة

معلومات الاتصال

الهاتف: +86- 18025912990
بريد إلكتروني: wst01@winsharethermal.com

عنوان

رقم 2 طريق Yinsong، مدينة Qingxi، مدينة Dongguan، مقاطعة Guangdong، الصين.
رقم 196/8 مو 1، منطقة نونج خام الفرعية، منطقة سي راشا، مقاطعة تشونبوري.
حقوق الطبع والنشر © 2005-2025 شركة قوانغدونغ وينشير لتكنولوجيا الطاقة الحرارية المحدودة. جميع الحقوق محفوظة